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紫光造中國第一條國產DDR4內存曝光告別內存漲價


作者:like    文章來源:本站原創    點擊數:    更新時間:2017-12-22          ★★★

關鍵字:DDR4內存

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翻開內存的發展史,時間追溯至1982年,Intel推出經典的80286芯片,渴求更大的內存空間。當時解決方案,只能靠主板上額外增加的內存條才能滿足需求,于是內存條就誕生了。

告別內存漲價 紫光造中國第一條國產DDR4內存曝光

至2017年,算一算,從內存條誕生開始已經有長達35年的歷史。內存從SIMM時代,歷經SDR SDRAM、Rambus DRAM、DDR、DDR2、DDR3及DDR4多代發展,容量也從KB到GB跨越,性能更是突飛猛進。可這期間,電腦里不可或缺的內存,從來沒有真正姓過“中國”

過去,國內在DRAM領域的技術幾乎是空白的,真正意義的空白 。

同樣存儲部件的硬盤,國內還曾經出現自主研發的國產硬盤品牌,像長城硬盤,易拓硬盤,雖然都沉淪的歷史洪流中,但你何曾聽過國產的“xxx”DRAM品牌?

如今,這千年寒冰,終于迎來破冰之時,中國隊之稱的紫光集團極可能推出首款PC使用的DDR4內存,DRAM顆粒完全自主研發,近段在網上就有曝光這一款新品。

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裸條設計,有明顯的紫光標志,雖然具體的規格還不得知,但DRAM顆粒肯定是國產造,有望打破三星、海力士、美光這些DRAM巨頭長期的壟斷。

振興中國芯片產業,國家在行動:

今年年初,為了改變中國缺芯的局面,紫光集團宣布投資300億美元(約合人民幣2063億人民幣)在南京建設半導體產業基地,一期建成后,這將是中國規模最大的芯片制造工廠,月產量將達10萬片。

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閃存顆粒

去年7月,紫光還參與了長江存儲科技有限責任公司的投資,后者是總投資1600億元,主力打造3D NAND的國家存儲器項目。

據披露,長江存儲致力于開發自己的存儲芯片,除了3D NAND閃存之外,還組建了500人的研發團隊,攻關DRAM內存制造技術。

另外,因為外部技術封鎖,紫光寄望于入股投資美光、西數,以資本獲取技術,同時收購面臨困境的臺灣DRAM封測廠等技術企業,用資本開路,力求突破。紫光董事長趙偉國就曾公開靜態:“半導體要自強,不破樓蘭終不還”。一系列舉措,也能看出國家在芯片產業的決心。

雖然現在只是看到樣品,但相信如今的中國,將有能力,有信心,也有實力去制造DRAM顆粒,誕生真正屬于自已的內存民族品牌。

要知道中國每年進口芯片的金額甚至超過了石油,芯片制造,已上升到國家層面。這個時代,正推著我們前行。


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